单层 Janus NbSSe 光诱旋格尔电流：第一性原理研究

单层 Janus 过渡金属硫化物具有 Ising 型和 Rashba 型自旋轨道耦合（SOC），在 K 和 K' 点以及 $\Gamma$ 点附近产生令人感兴趣的自旋分裂效应，覆盖广泛的能量范围。基于第一性原理计算，我们揭示了金属 Janus NbSSe 的这些 SOC 特性，并展示了其在光控自旋电流能量生成方面的潜力。依据系统的对称性，我们表明不同偏振的光可以选择性地驱动具有不同自旋分量的自旋电流。我们的发现表明 NbSSe 是下一代光自旋电子技术的有前景的候选材料，为开发可调偏振的自旋电流源提供了一条途径。