具有可调迁移率的单层石墨烯中的自旋弛豫
介观与纳米尺度物理
2012-07-23 v1 材料科学
摘要
由于理论预测低自旋 - 轨道耦合和超精细耦合会导致长自旋寿命，石墨烯成为自旋电子学中极具吸引力的材料。然而在实验中，通过 Hanle 效应测得的单层石墨烯 (SLG) 自旋寿命远短于理论预期。因此，SLG 中自旋弛豫的起源是石墨烯自旋电子学的一个主要问题。尽管已有大量理论和实验工作 addressing 这一问题，但对于自旋弛豫的微观起源仍缺乏清晰认识。通过使用有机配体结合的纳米颗粒作为电荷库，将迁移率在 2700 至 12000 cm2/Vs 之间进行调节，我们成功隔离了带电杂质散射对 SLG 自旋弛豫的影响。我们的结果表明，虽然带电杂质会极大影响迁移率，但自旋寿命不受带电杂质散射的影响。
引用
@article{arxiv.1206.6941,
title = {Spin Relaxation in Single Layer Graphene with Tunable Mobility},
author = {Wei Han and Jen-Ru Chen and Deqi Wang and Kathleen M. McCreary and Hua Wen and Adrian G. Swartz and Jing Shi and Roland K. Kawakami},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.6941},
year = {2012}
}
备注
13 pages, 5 figures