石墨烯中的自旋弛豫1/f噪声
介观与纳米尺度物理
2017-02-09 v1
摘要
我们报道了首个与电子自旋输运相关的1/f型噪声的测量，使用单层石墨烯作为一种具有大而可调Hooge参数的原型材料。我们确认了测量的自旋相关噪声存在两个贡献：来自铁磁电极的接触极化噪声（可利用互相关方法滤除），以及源自自旋弛豫过程的噪声。自旋与电荷输运的噪声幅度相差三个数量级，意味着电荷与自旋输运过程中的1/f涨落具有不同的散射机制。通过改变自旋弛豫长度和弛豫时间对自旋相关噪声幅度的调制表明，自旋翻转过程主导了自旋相关噪声。
引用
@article{arxiv.1701.07724,
title = {Spin relaxation 1/f noise in graphene},
author = {S. Omar and M. H. D. Guimarães and A. Kaverzin and B. J. van Wees and I. J. Vera-Marun},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.07724},
year = {2017}
}
备注
10 pages, 11 figures