单层石墨烯中的隧穿自旋注入
介观与纳米尺度物理
2010-11-15 v2 材料科学
摘要
我们利用TiO2籽晶层MgO势垒实现了从Co到单层石墨烯(SLG)的隧穿自旋注入。在室温下观测到130 Ω的非局域磁电阻(ΔRNL)，这是在任何材料中观测到的最大值。通过研究从透明接触区到隧穿接触区的ΔRNL与SLG电导率的关系，展示了自旋输运漂移-扩散理论所预测的对比行为。此外，隧穿势垒减少了接触诱导的自旋弛豫，因此对于未来石墨烯中自旋弛豫的研究具有重要意义。
引用
@article{arxiv.1003.2669,
title = {Tunneling Spin Injection into Single Layer Graphene},
author = {Wei Han and K. Pi and K. M. McCreary and Yan Li and Jared J. I. Wong and A. G. Swartz and R. K. Kawakami},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.2669},
year = {2010}
}
备注
10 pages, 4 figures. To appear in Physical Review Letters