离子门控外延石墨烯中的非对称电子-空穴退相干
介观与纳米尺度物理
2017-09-25 v1
摘要
我们报道了由离子液体门控的外延石墨烯中的非对称电子-空穴退相干。在弱局域化框架下分析的不同门电压下，在零磁场附近观测到的负磁阻导致了明显的电子-空穴退相干。空穴退相干率随着负门电压的降低而显著增加，而电子退相干率并未表现出任何实质性的门依赖性。定量地说，空穴退相干率是电子退相干率的两倍。我们讨论了可能的微观起源，包括与我们的实验观测相一致的自旋交换散射。
引用
@article{arxiv.1709.07549,
title = {Asymmetric Electron-Hole Decoherence in Ion-Gated Epitaxial Graphene},
author = {Kil-Joon Min and Jaesung Park and Wan-Seop Kim and Dong-Hun Chae},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.07549},
year = {2017}
}