GaAs/GaAlAs方形网络中电子相互作用引起失配的几何依赖性
介观与纳米尺度物理
2008-04-09 v2 无序系统与神经网络
摘要
我们在25 mK到750 mK之间研究了二维电子气中刻蚀的金属网络中的弱局域化，当电子-电子(e-e)相互作用是主要的相位破坏机制时。我们表明，在最高温度下，围绕环形轨迹和不围绕环形轨迹的轨迹的贡献由两个不同的尺度支配。这通过分别分析磁导率的包络部分和振荡部分来实现。对于T≳0.3 K，我们发现Lphi^env∝T^{-1/3}对于包络，以及Lphi^osc∝T^{-1/2}对于振荡，与单环的预测相符。这是对几何几何依赖性因e-e相互作用引起的失配第一次实验确认。
关键词
引用
@article{arxiv.0707.3890,
title = {Geometrical dependence of decoherence by electronic interactions in a GaAs/GaAlAs square network},
author = {M. Ferrier and A. C. H. Rowe and S. Gueron and H. Bouchiat and C. Texier and G. Montambaux},
journal= {arXiv preprint arXiv:0707.3890},
year = {2008}
}
备注
LaTeX, 5 pages, 4 eps figures