顶栅黑磷晶体管中电子-声子耦合的电子-空穴不对称性
介观与纳米尺度物理
2016-03-10 v1 材料科学
摘要
利用电化学顶栅场效应晶体管中黑磷沟道的原位拉曼散射，我们发现具有 A 对称性的声子对电子浓度的依赖远强于对空穴浓度的依赖，而具有 B 对称性的声子对掺杂不敏感。通过第一性原理理论分析，我们表明所观察到的电子-空穴不对称性源于其导带和价带截然不同的构成，它们分别涉及 和 成键态，其对称性仅允许与保持晶格对称性的声子发生耦合。因此，拉曼光谱是测量基于黑磷的纳米电子器件中电子浓度的非侵入式工具。
引用
@article{arxiv.1603.02941,
title = {Electron-Hole Asymmetry in the Electron-phonon Coupling in Top-gated Phosphorene Transistor},
author = {Biswanath Chakraborty and Satyendra Nath Gupta and Anjali Singh and Manabendra Kuiri and Chandan Kumar and D. V. S. Muthu and Anindya Das and U. V. Waghmare and A. K. Sood},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.02941},
year = {2016}
}