支撑石墨烯中的团簇杂质与载流子输运
介观与纳米尺度物理
2014-05-21 v1
摘要
我们通过采用载流子输运与电动力学的自洽耦合模拟，研究了 SiO 上石墨烯中带电杂质分布和载流子 - 载流子相互作用对电子输运的影响。我们表明，特征宽度为 40--50 nm 的杂质团簇会产生实验观测到的电子 - 空穴液滴尺寸。在电导率与载流子密度的依赖关系中，剩余电导率和线性区斜率由杂质分布决定，且测量得到的斜率可用于估算实验中的杂质密度。此外，我们表明电导率中的高密度次线性源于载流子 - 载流子相互作用。
引用
@article{arxiv.1405.4938,
title = {Clustered impurities and carrier transport in supported graphene},
author = {N. Sule and S. C. Hagness and I. Knezevic},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.4938},
year = {2014}
}