利用电容法提取石墨烯场效应器件中的界面陷阱能级密度
介观与纳米尺度物理
2012-02-03 v2
摘要
本文描述并讨论了从电容 - 电压测量中提取石墨烯场效应器件界面陷阱能级密度的方法。展示了其与石墨烯费米速度提取的相互关系。简要讨论了石墨烯与硅场效应结构在界面陷阱提取程序上的异同。
引用
@article{arxiv.1110.5205,
title = {Using Capacitance Methods for Interface Trap Level Density Extraction in Graphene Field-Effect Devices},
author = {Gennady I. Zebrev and Evgeny V. Melnik and Daria K. Batmanova},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.5205},
year = {2012}
}
备注
4 pages, 7 figures, a report to MIEL 2012