复杂氧化物界面处高迁移率电子气的图形化制备
材料科学
2016-01-22 v1
摘要
氧化物界面为电子学提供了机遇。然而，复杂氧化物界面处电子气的图形化制备具有挑战性。特别是，在保持高电子迁移率的同时对复杂氧化物进行图形化仍鲜有探索，且阻碍了对扩展电子平均自由程至关重要的量子力学效应研究。本快报提出了一种针对非晶-LaAlO/SrTiO (a-LAO/STO) 以及调制掺杂非晶-LaAlO/LaSrMnO/SrTiO (a-LAO/LSM/STO) 氧化物界面的有效图形化策略。我们的图形化基于非晶-LSM (a-LSM) 薄膜的选择性湿法刻蚀，该薄膜在后续沉积中充当硬掩模。引人注意的是，图形化后的调制掺杂界面在 2 K 下显示出高达约 8,700 cm/Vs 的电子迁移率，这属于已报道的图形化导电复杂氧化物界面的最高值之一，而通常此类界面在 2 K 下约为 1,000 cm/Vs。
引用
@article{arxiv.1601.05571,
title = {Patterning of high mobility electron gases at complex oxide interfaces},
author = {Felix Trier and Guenevere E. D. K. Prawiroatmodjo and Merlin von Soosten and Dennis Valbjørn Christensen and Thomas Sand Jespersen and Yunzhong Chen and Nini Pryds},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.05571},
year = {2016}
}