MoS2 纳米管器件中的材料转移与接触优化

虽然以无掺杂、无缺陷的MoS2纳米管作为量子电子器件具备巨大潜力（包括强自旋轨道相互作用及本征超导性），但器件制造仍面临诸多挑战。确定性转移掺杂金属二硫化物纳米材料及其对纳米材料的透明电极是当今活跃的研究主题，两者皆具根本性研究及实际应用价值。来自运输剂、表面吸附剂及表面电荷的污染对器件性能发挥关键作用。为此，已提出多种技术以解决二硫化物类材料的此类问题。本文分析了这些技术在MoS2纳米管器件基于转移的制造中的应用。进一步，我们比较不同接触材料，以避免形成肖特势垒。