通过氢化在 MoS2 单层上构建金属纳米道路
材料科学
2014-01-21 v1
摘要
单层过渡金属二硫属化物最近作为一种新型二维材料家族崭露头角，由于其具有有限的带隙，潜在适用于众多电子和光电器件应用。许多 proposed 应用要求在这些半导体单层内实现电荷载流子的高效传输。然而，如何在这些原子级薄的半导体上构建稳定的导电纳米道路仍然是一个挑战。在此，我们证明了 MoS2 单层表面的氢化会诱导半导体 - 金属转变，而条纹图案化的氢化能够生成导电纳米道路。带隙闭合源于主要由 Mo 4d 轨道组成的带内杂化态的形成，以及氢向晶格主体的电子捐赠。弹道电导计算表明，MoS2 表面上的这种纳米道路表现出整数量子化电导，表明载流子散射很小，因此非常适合作为导电通道或互连，且不会损害单层的机械和结构完整性。
引用
@article{arxiv.1310.0233,
title = {Constructing Metallic Nanoroad on MoS2 Monolayer via Hydrogenation},
author = {Yongqing Cai and Zhaoqiang Bai and Hui Pan and Yuan Ping Feng and Boris I. Yakobson and Yong-Wei Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.0233},
year = {2014}
}