少层MoS2中的电荷光生
材料科学
2014-12-18 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
二维半导体MoS2在其单层及少层形式下预期具有高达数百meV的显著激子结合能，这导致人们普遍认为激子是主要的光激发物种。然而，即使是单层也表现出强烈的光伏效应，并可作为高灵敏度光电探测器中的活性材料，从而表明存在高效的电荷载流子光生（CPG）。在此，我们使用连续波光调制光谱来识别长寿命电荷载流子的光学特征，并使用飞秒泵浦-探测光谱来跟踪CPG动力学。我们发现初始光激发产生激子与电荷载流子之间的分支，随后是依赖于激发能量的热激子解离作为额外的CPG机制。基于这些发现，我们为设计更高效的MoS2光伏和光电探测器器件提出了简单建议。
引用
@article{arxiv.1412.5338,
title = {Charge photogeneration in few-layer MoS2},
author = {Tetiana Borzda and Christoph Gadermaier and Natasa Vujicic and Peter Topolovsek and Milos Borovsak and Tomaz Mertelj and Daniele Viola and Cristian Manzoni and Eva A. A. Pogna and Daniele Brida and Maria Rosa Antognazza and Francesco Scotognella and Guglielmo Lanzani and Giulio Cerullo and Dragan Mihailovic},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.5338},
year = {2014}
}