单层 MoS2 中的高效多激子生成
材料科学
2022-12-06 v1
摘要
利用光激发中否则以热效应形式损失的过剩能量可提高下一代光收集器件的效率。半导体材料中的多激子生成（MEG）通过吸收单个高能光子产生两个或更多激子，可打破光伏器件转换效率的 Shockley-Queisser 极限。近来，单层过渡金属硫族化物（TMDs）因其高吸收系数而成为有前景的光收集材料。在此，我们报道了范德瓦耳斯（vdW）层状材料 MoS2 中具有低阈值能量和高（86%）效率的高效 MEG。通过不同实验方法，我们展示了激子倍增的特征，并讨论了单层 MoS2 中决定性 MEG 的可能起源。我们的结果表明，vdW 层状材料可能是开发机械柔性且高效的下一代太阳能电池和光电探测器的潜在候选者。
引用
@article{arxiv.2212.01587,
title = {Efficient Multiple Exciton Generation in Monolayer MoS2},
author = {Ashish Soni and Dushyant Kushavah and Li-Syuan Lu and Wen-Hao Chang and Suman Kalyan Pal},
journal= {arXiv preprint arXiv:2212.01587},
year = {2022}
}