VO$_2$中的多激子产生与巨外量子效率
材料科学
2023-10-27 v3 应用物理
摘要
多激子产生（MEG）是半导体纳米晶和量子点中广泛研究的一种现象，其中光激发载流子通过产生额外的电子-空穴对而弛豫。在此，我们首次实验观察到VO中的MEG及其导致的巨外量子效率（EQE），VO是一种原型强关联材料。通过使用约4.2倍带隙的光激发（ nm），VO的EQE在室温下增强至约170%。温度依赖实验展示了MEG与电子关联强度之间的直接关系，并表明这种现象可能在不久的将来被用于大量强关联材料中，以进行高性能太阳能电池研究。
引用
@article{arxiv.2202.04909,
title = {Multiple exciton generation and giant external quantum efficiency in VO$_2$},
author = {S. R. Sahu and A. Tripathy and K. Dey and N. Mansuri and V. G. Sathe and D. K. Shukla},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.04909},
year = {2023}
}
备注
New version is available at arXiv:2310.14835