VO2 中的多重激子生成
强关联电子
2023-10-24 v1
摘要
多重激子生成（MEG）是半导体纳米晶和量子点中被广泛研究的现象，旨在提高太阳能电池的能量转换效率。MEG 是指入射光子能量远大于带隙，由此产生的光激发载流子通过生成额外的电子-空穴对而弛豫，而非通过热耗散衰减的过程。在此，我们通过光电流谱和超快瞬态反射率测量，在原型强关联材料 VO2 中实验演示了 MEG，这两种方法均被视为在工作器件中探测 MEG 的最显著手段。本文的关键结果是在室温下（在 VO2 的关联绝缘相中）观测到 MEG，且估计的 MEG 阈值为 3Eg。我们展示了 VO2 中因 MEG 而增强的光电流，并发现量子效率超过 100%。我们的研究表明，该现象是更强电子关联导致快速碰撞电离的表现，并可在大量强关联材料中加以利用。
引用
@article{arxiv.2310.14835,
title = {Multiple exciton generation in VO2},
author = {S. R. Sahu and S. Khan and A. Tripathy and K. Dey and N. Bano and S. Raj Mohan and M. P. Joshi and S. Verma and B. T. Rao and V. G. Sathe and D. K. Shukla},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.14835},
year = {2023}
}
备注
6 pages, 5 figures, Physical Review B