PbSe 纳米晶中的高效载流子倍增：对太阳能的意义
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v1 材料科学
摘要
我们首次证明，碰撞电离（II）[俄歇复合（AR）的逆过程]在半导体纳米晶（NCs）中以极高的效率发生。在低泵浦强度下对 PbSe 纳米晶进行带间光学激发（此时平均每个纳米晶最初产生的激子数小于一），当泵浦光子能量大于纳米晶带隙能量的三倍时，会导致两个或多个激子的形成（载流子倍增）。观察到单光子吸收事件产生多激子的过程发生在超快（皮秒）时间尺度上，且效率高达 100%，具体取决于吸收光子的过剩能量。纳米晶中的高效碰撞电离可用于大幅提高基于纳米晶的太阳能电池的功率转换效率。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0404368,
title = {High Efficiency Carrier Multiplication in PbSe Nanocrystals: Implications for Solar Energy},
author = {R. D. Schaller and V. I. Klimov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0404368},
year = {2009}
}
备注
16 pages total, 4 figures. This manuscipt has been accepted for publication in Physical Review Letters