嵌入型硅和锗纳米晶体中的俄歇复合与载流子倍增
材料科学
2008-04-16 v3
摘要
对于嵌入在宽带隙基质中的 Si 和 Ge 纳米晶体（NCs），我们使用经验赝势波函数在三维实空间网格中精确计算了俄歇复合（AR）和载流子倍增（CM）寿命。我们支持近期实验数据的结果提供了新的预测。我们提取了适用于纳米晶体的简单俄歇常数。我们表明，Si 和 Ge 纳米晶体均可通过 CM 受益于光伏效率的提升，这是因为在超过两倍带隙能量的光激发下，电子获得了大部分超额能量并可能引发 CM。我们预测，对于超额能量约为 1 eV（高于 CM 阈值）的热电子，CM 变得尤为高效。
引用
@article{arxiv.0709.1329,
title = {Auger recombination and carrier multiplication in embedded silicon and germanium nanocrystals},
author = {C. Sevik and C. Bulutay},
journal= {arXiv preprint arXiv:0709.1329},
year = {2008}
}
备注
4 pages, 6 figures (Published version)