三维硅/硅锗纳米结构中的俄歇介导辐射复合
材料科学
2008-09-09 v1 其他凝聚态物理
摘要
在具有II型能带排列的半导体异质结构中，电子和空穴的空间分离减缓了它们的辐射复合。随着激发强度的增加，俄歇复合迅速成为主导的复合通道，并导致载流子从量子阱中射出。在这里，我们展示了在Si/SiGe三维纳米结构中，这一高效过程促进了分隔SiGe团簇的薄Si势垒中电子-空穴等离子体（EHP）和/或电子-空穴液滴（EHD）的形成。与体硅中传统的、强烈依赖于温度且缓慢的辐射载流子复合相反，这种在纳米厚硅层中的EHD/EHP发光被发现几乎与温度无关，辐射寿命接近秒，仅比直接带隙III-V族半导体中发现的略慢。
引用
@article{arxiv.0809.1107,
title = {Auger-mediated radiative recombination in three-dimensional silicon/silicon-germanium nanostructures},
author = {E. -K. Lee and D. J. Lockwood and J. -M. Baribeau and A. M. Bratkovsky and T. I. Kamins and L. Tsybeskov},
journal= {arXiv preprint arXiv:0809.1107},
year = {2008}
}
备注
14 pages, 4 fugures