块体氧化铁中极化子自陷激子的量子化俄歇复合
化学物理
2020-02-07 v1 材料科学
摘要
块体半导体中的俄歇复合能以非辐射方式耗尽载流子，所幸由于并发的动量与能量守恒限制抑制了俄歇速率，其仅在载流子高密度条件下对光电器件性能有不利影响。此处我们惊讶地发现，块体 Fe2O3 薄膜中的俄歇复合比窄带隙高迁移率半导体更高效，而后者本应具有比金属氧化物高得多的俄歇速率常数。Fe2O3 中的俄歇过程归因于库仑耦合的自陷激子（STEs），由于这些 STEs 的强空间局域化放松了动量守恒而得以增强。此外，由于此局域化效应，不同 STE 密度下 STE 湮灭的动力学迹线呈现出量子化俄歇复合的特征，并且我们证明通过考虑量子化俄歇速率可同时对这些迹线建模。
引用
@article{arxiv.2002.02389,
title = {Quantized Auger Recombination of Polaronic Self-trapped Excitons in Bulk Iron Oxide},
author = {Hongyan Liao and Yunyan Fan and Yumei Lin and Kang Wang and Renfu Li and Xueyuan Chen and Kelvin H. L. Zhang and Ye Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.02389},
year = {2020}
}