半导体量子阱中的Auger复合
材料科学
2009-10-31 v1
摘要
研究了非平衡载流子在半导体异质结构量子阱中的Auger复合主要机制。首次指出存在三种根本不同的Auger复合机制:(i) 无阈值、(ii) 类阈值和(iii) 阈值类型。无阈值Auger过程的速率随温度变化仅略有变化。类阈值Auger过程的速率随温度呈指数依赖，其阈值能本质上随量子阱宽度变化，窄量子阱时接近于零。指出无阈值和类阈值Auger过程在窄量子阱中占主导，而阈值和类阈值过程在宽量子阱中占主导。当量子阱宽度无限大时，达到三维(3D)Auger过程的极限情况。在找到类阈值Auger过程与阈值Auger过程合并为单个3D Auger过程的临界量子阱宽度。也研究了量子阱中的声子辅助Auger复合。指出在窄量子阱中声子发射变为共振，这进而显著增加声子辅助Auger复合的系数。找到在 various 温度和量子阱宽度下，直接Auger过程占优势于声子辅助Auger复合的条件。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9812125,
title = {Auger Recombination in Semiconductor Quantum Wells},
author = {Anatoli S. Polkovnikov and Georgy G. Zegrya},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9812125},
year = {2009}
}
备注
38 pages, 7 figures