I型与准II型核/壳量子点的俄歇复合寿命标度关系
材料科学
2020-05-08 v1 介观与纳米尺度物理
化学物理
摘要
胶体核/壳量子点已实现近统一的量子产率，在发光二极管、激光和电荷分离应用方面具有优异特性，具有巨大的技术潜力。已知壳层厚度以及壳层与核材料的能带排列会影响这些器件的效率。在许多此类应用中，提高效率的关键在于深入理解多激子态。在此，我们阐明了准II型CdSe/CdS与I型CdSe/ZnS核/壳量子点的双激子俄歇复合寿命对壳层厚度和能带排列的依赖性。我们发现，对于准II型CdSe/CdS核/壳量子点，双激子俄歇复合寿命随纳米晶体总体积增大而增加；而对于I型CdSe/ZnS核/壳量子点，其与壳层厚度无关。为了进行计算并求解俄歇复合寿命，我们基于随机恒等式分解发展了低标度方法。该数值方法提供了一个框架，用以研究准II型CdSe/CdS与I型CdSe/ZnS核/壳量子点中双激子俄歇复合寿命随壳层厚度的标度关系，具体通过激子半径、库仑耦合及末态密度的壳层厚度依赖性来刻画。
引用
@article{arxiv.2005.03111,
title = {Auger Recombination Lifetime Scaling for Type-I and Quasi-Type-II Core/Shell Quantum Dots},
author = {John P. Philbin and Eran Rabani},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.03111},
year = {2020}
}
备注
7 pages, 4 figures