利用载流子自旋极化消除纳米结构中的俄歇复合
介观与纳米尺度物理
2016-03-11 v1
摘要
在半导体纳米结构中，非辐射俄歇复合由于边界的存在而增强，边界放松了动量守恒，从而消除了这些过程的阈值降低。我们提出一种通过注入自旋极化载流子来强烈降低俄歇复合速率的方法。我们的方法在量子阱的实例上得到说明，其中与价带相比导带的自旋轨道耦合可忽略，因此空穴可视为无自旋极化。俄歇复合的抑制因子由系统的二维特性决定，给定为生长方向量子化的电子能级分离与电子费米能之比。我们的预测可通过实验检验，并讨论了它们对依赖自旋极化电子注入的半导体激光器的意义。
引用
@article{arxiv.1603.03410,
title = {Killing Auger recombination in nanostructures by carrier spin polarization},
author = {Alexander Khaetskii and Igor Žutić},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.03410},
year = {2016}
}
备注
4 pages, 1 figure