金属卤化物钙钛矿中 Auger 重组的动态屏蔽效应

现代光电技术（如激光器和 LED）的性能受非辐射损耗限制，其中 Auger 重组是在器件相关载流子密度下的主导通道。可靠的此过程建模至关重要，但传统做法忽略了动态介电效应，限制了在实际运行条件下的可预测性。我们发展了一个普适框架，将频率依赖的屏蔽库仑相互作用 $W_{00}(\mathbf{q},\omega)$ 从低规模 \textit{GW} 计算中纳入，直接和声子辅助 Auger �幅中。该方法在正交系 $\gamma$-CsPbI$_3$（带隙 $E_g\approx1.73$ eV）和 $\gamma$-CsSnI$_3$（带隙 $E_g\approx1.30$ eV）上得到验证，显示动态屏蔽可增强介电响应，将室温 Auger 系数降低约 50-60%。这种再规范化使辐射重组与非辐射重组之间的交叉点在载流子密度上偏移近书倍。动态介电屏蔽因此成为 Auger 重组的定量决定因素，为在频率无关屏蔽模型不足的极性半导体上进行可预测建模提供了可迁移框架。