CdSe和InAs纳米晶体中载流子倍增速率的分布
材料科学
2015-05-13 v1
摘要
计算了半导体纳米晶体（NCs）中光子吸收后载流子倍增（CM）的速率分布。纳米晶体的电子结构使用一种已知能可靠描述纳米晶体激子的屏蔽赝势方法来描述。双激子产生速率使用费米黄金定则计算，包含所有相关的库仑矩阵元，并考虑了适当的选择定则。在CdSe和InAs纳米晶体中，我们发现双激子产生速率呈现宽分布，强烈依赖于激子能量和纳米晶体的尺寸。当纳米晶体直径超过3 nm时，在光子能量为带隙2-3倍的范围内，该过程变得低效。
引用
@article{arxiv.0803.0430,
title = {Distribution of carrier multiplication rates in CdSe and InAs nanocrystals},
author = {Eran Rabani and Roi Baer},
journal= {arXiv preprint arXiv:0803.0430},
year = {2015}
}
备注
4 pages 3 fig