半导体纳米晶中多激子产生的理论
介观与纳米尺度物理
2015-05-19 v1 材料科学
摘要
我们基于格林函数形式发展了一个广义框架，用于计算纳米晶量子点中多激子产生的效率。从统一理论出发，我们回顾并重新推导了常用于描述纳米晶中多激子产生的直接/间接吸收和相干/非相干碰撞电离机制，将其视为特定近似。此外，我们系统地描述了两种新的极限——弱库仑耦合极限和半宽能带极限。我们表明，纳米晶中多激子产生的描述可以视为非相干过程，并讨论了多激子产生随光子能量和纳米晶尺寸的标度关系。我们以三种原型系统为例进行了说明：CdSe、InAs和硅量子点。
引用
@article{arxiv.1007.1090,
title = {Theory of multiexciton generation in semiconductor nanocrystals},
author = {Eran Rabani and Roi Baer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.1090},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 5 figures