单光子直接激发硅纳米晶中的双激子
介观与纳米尺度物理
2023-12-07 v1
摘要
理论上已证明，硅纳米晶中的强量子限域效应促进了单光子高效同时激发两个电子-空穴对（双激子）。双激子产生的速率（寿命的倒数）已作为纳米晶半径的函数进行了解析计算。与直接带隙半导体纳米晶的情况相比，硅纳米晶中该速率的尺寸依赖性相当显著。当半径接近一纳米时，双激子产生的寿命降至纳秒范围。
引用
@article{arxiv.2312.03138,
title = {Direct biexciton generation in Si nanocrystal by a single photon},
author = {Sergey Fomichev and Vladimir Burdov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2312.03138},
year = {2023}
}
备注
9 pages, 3 figures