二维半导体异质五层中的双激子晶体

Yi Huang; B. I. Shklovskii

二维半导体异质五层中的双激子晶体

介观与纳米尺度物理 2022-09-14 v3

作者: Yi Huang , B. I. Shklovskii

摘要

本文为纪念Emmanuel Rashba的特刊而写。我们研究了由pentalayer WSe $_2$ /MoSe $_2$ /WSe $_2$ /MoSe $_2$ /WSe $_2$ 的带间光照产生的间接偶极激子气体。我们表明两个共线间接激子结合成一个偶极矩大一倍的线性双激子。两个具有相反偶极方向的双激子在远距离相互吸引，在近距离相互排斥。因此，双激子形成具有反铁电方晶格的交错晶体。该晶体每个双激子的静电能在双激子浓度 $n =n_c=0.14d^{-2}$ 处有极小值，其中 $d \sim 0.7$ nm是单层厚度。在小光照强度下，双激子凝聚成 $n = n_c$ 的稀疏微晶，其光致发光频率红移且与光强无关。我们还研究了一个由五个相同半导体单层组成、由hBN间隔层分隔的电容器，在层1、3、5与层2、4之间施加临界电压会突然产生类似的双激子晶体。在该电压下，微分电容发散。

关键词

双激子二维异质结构 WSe$_2$ MoSe$_2$ 偶极激子交错晶体

引用

@article{arxiv.2207.11319,
  title  = {Biexciton crystal in a two-dimensional semiconductor heteropentalayer},
  author = {Yi Huang and B. I. Shklovskii},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2207.11319},
  year   = {2022}
}

备注

7 pages, 10 figures

二维半导体异质五层中的双激子晶体

摘要

关键词

引用

备注

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