通过瞬态光致发光测定 CdSe 和 CdTe 纳米晶中的载流子倍增产率
介观与纳米尺度物理
2007-08-30 v1 材料科学
摘要
对半导体进行工程化以增强载流子倍增（CM）可能会提高光伏电池的性能，并显著拓宽适用于未来太阳能技术的材料范围。半导体纳米晶（NCs）已被提议作为增强 CM 的有利结构，最近的瞬态吸收测量也显示了铅硫族化合物和 CdSe NCs 中存在高效 CM 的证据。我们在此报告通过对瞬态光致发光衰减中双激子和激子特征的定量分析，评估了 CdSe 和 CdTe NCs 中的 CM 产率。尽管由于双激子辐射速率相对于激子增强（），该技术特别敏感，但我们在光子能量范围内未在 CdSe 和 CdTe NCs 中发现 CM 的证据，这远高于先前报道的相对能量阈值。
引用
@article{arxiv.0708.3866,
title = {Carrier multiplication yields in CdSe and CdTe nanocrystals by transient photoluminescence},
author = {Gautham Nair and Moungi G Bawendi},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.3866},
year = {2007}
}
备注
9 pages, 6 figures