碰撞激发能否解释碳纳米管光电二极管中的高效载流子倍增？
介观与纳米尺度物理
2015-05-19 v1
摘要
我们探讨了最近的实验（Science 325, 1367 (2009)），该实验报道了在光子能量接近载流子倍增阈值（准粒子带隙的两倍）时，碳纳米管光电二极管中电子-空穴对的高效倍增。鉴于最近在其他受限材料（如半导体纳米晶体）中关于多激子生成的实验和理论工作，这一结果令人惊讶。我们提出了一种基于载流子动力学和碰撞激发的详细机制，该机制导致了电子-空穴对的高效倍增。我们讨论了问题中重要的时间和能量尺度，并分析了温度和二极管长度的作用。
引用
@article{arxiv.1005.2671,
title = {Can impact excitation explain efficient carrier multiplication in carbon nanotube photodiodes?},
author = {Roi Baer and Eran Rabani},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.2671},
year = {2015}
}