一种创新的MoS2刻蚀方法：表征与机理研究
介观与纳米尺度物理
2013-03-04 v1
摘要
我们报告了使用XeF2作为气态反应物对MoS2晶体进行刻蚀的系统研究。通过控制刻蚀过程，可以获得形貌均匀的单层MoS2。所得材料的拉曼光谱和光致发光光谱与剥离的MoS2相似。利用这一策略，可以实现霍尔棒结构和六边形阵列等不同图案。此外，通过引入石墨烯作为刻蚀掩模，研究了刻蚀机理。我们相信我们的技术开辟了一种简单可控的MoS2刻蚀方法，可用于制造复杂的纳米结构，如纳米带、量子点和晶体管结构。使用XeF2的刻蚀过程也可以扩展到其他有趣的二维晶体。
引用
@article{arxiv.1303.0113,
title = {An innovative way of etching MoS2: Characterization and mechanistic investigation},
author = {Yuan Huang and Jing Wu and Xiangfan Xu and Yuda Ho and Guangxin Ni and Qiang Zou and Gavin Kok Wai Koon and Weijie Zhao and A. H. Castro Neto and Goki Eda and Chengmin Shen and Barbaros Özyilmaz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.0113},
year = {2013}
}
备注
22 pages, 9 figures