外延生长单层 MoS2 的高通量表征
介观与纳米尺度物理
2017-04-07 v1 材料科学
摘要
采用化学气相沉积生长单层 MoS2 是一种成熟的方法，能够制备大面积且高质量的样品。在本文中，我们研究了生长在高度抛光蓝宝石基底上的数百个独立单层 MoS2 微晶的几何与光学性质。大多数微晶沿蓝宝石基底的台面取向，面积介于 10 {\mu}m2 至 60 {\mu}m2 之间。对这些微晶进行的差分反射测量表明，MoS2 微晶的面积会影响 B 激子的位置与展宽，而其取向不影响 MoS2 的 A 和 B 激子。这些测量证明，差分反射测量具有用于表征大面积 CVD 生长样品均匀性的潜力。
引用
@article{arxiv.1704.01900,
title = {High Throughput Characterization of Epitaxially Grown Single-Layer MoS2},
author = {Foad Ghasemi and Riccardo Frisenda and Dumitru Dumcenco and Andras Kis and David Perez de Lara and Andres Castellanos-Gomez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.01900},
year = {2017}
}
备注
10 pages, 5 figures