蓝宝石上生长的毫米级层状MoSe2及负磁阻证据
材料科学
2017-02-20 v1
摘要
利用分子束外延技术在蓝宝石上沉积了单层及双层MoSe2。包括原位和非原位在内的广泛表征表明，层状MoSe2在衬底上以可扩展方式生长，并显示出化学计量2H相的特征。层状MoSe2呈现多晶特征，其畴区由缺陷和边界分隔。温度和磁场依赖的电阻测量揭示了由二维变程跳跃机制描述的载流子跳跃特性。此外，观察到了负磁阻，强调了层状MoSe2系统中在施加磁场下电荷传输的引人注目特征。在毫米尺度观察到的这种负磁阻类似于最近在微米尺度WS2薄片中在室温下观察到的负磁阻[Zhang et al., Appl. Phys. Lett. 108, 153114 (2016)]。这种可扩展性凸显了这样一个事实：潜在的物理机制是这些二维材料固有的，并且发生在极短尺度上。
引用
@article{arxiv.1702.05121,
title = {Millimeter-scale layered MoSe2 grown on sapphire and evidence for negative magnetoresistance},
author = {M. T. Dau and C. Vergnaud and A. Marty and F. Rortais and C. Beigné and H. Boukari and E. Bellet-Amalric and V. Guigoz and O. Renault and C. Alvarez and H. Okuno and P. Pochet and M. Jamet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.05121},
year = {2017}
}
备注
15 pages, 6 figures