MoSe2双层中线缺陷与点缺陷的扫描隧道显微镜与谱学研究
材料科学
2015-06-24 v1
摘要
通过分子束外延（MBE）生长的双层（BL）MoSe2薄膜，利用扫描隧道显微镜与谱学（STM/S）进行了研究。与单层（ML）薄膜类似，在BL MoSe2的顶层和底层均观察到反转畴界（DB）缺陷网络，且常表现出空间相关性，即一层位于另一层之上。底层也存在孤立的缺陷，其在顶层无伴随者，并通过缺陷态经MoSe2 ML势垒的量子隧穿由STM/S探测到。将BL MoSe2中的DB态与ML薄膜比较，揭示了某些共同特征及差异。这表明了缺陷态的量子限域。STM/S还观察到了BL MoSe2中的点缺陷，其中施主缺陷在针尖诱导电场下的电离得到证实。这些结果不仅具有重大基础意义，也对由MoSe2超薄层制备的器件有实际关联。
引用
@article{arxiv.1506.04467,
title = {Line and Point Defects in MoSe2 Bilayer Studied by Scanning Tunneling Microscopy and Spectroscopy},
author = {Hongjun Liu and Hao Zheng and Fang Yang and Lu Jiao and Jinglei Chen and Wingkin Ho and Chunlei Gao and Jinfeng Jia and Maohai Xie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.04467},
year = {2015}
}