云母上 Mn 掺杂 MoSe$_2$ 的范德瓦耳斯外延
材料科学
2019-06-13 v1
摘要
二维（2D）材料中与自旋自由度相关的磁序因其潜在应用于二维自旋电子学及谷相关磁现象而受到深入研究。本文报道一种利用分子束外延自下而上的策略，以 Mn 为磁性掺杂剂生长并掺杂大面积（cm）少层 MoSe。在 Mn 含量低于 5%（原子百分比）时获得高质量的 Mn 掺杂 MoSe 层。当 Mn 含量增至 5% 以上时，我们观察到明显的从逐层生长到团簇生长的转变。涉及将 cm 大面积掺杂层转移至 100 微米厚硅衬底的磁学测量，显示出 1% 和 10% Mn 掺杂 MoSe 具有高温铁磁性的合理证据。尽管我们未能指出磁性与电学性质之间的关联，但我们证明本报告中描述的转移过程能够对转移至任意衬底上的掺杂层进行常规电学与磁学测量。因此，本研究为表征稳定铁磁性二维层提供了一条有前景的途径，拓宽了当前基于二维材料应用的现有水平。
引用
@article{arxiv.1906.04801,
title = {Van der Waals epitaxy of Mn-doped MoSe$_2$ on mica},
author = {M. T. Dau and C. Vergnaud and M. Gay and C. J. Alvarez and A. Marty and C. Beigné and D. Jalabert and J. -F. Jacquot and O. Renault and H. Okuno and M. Jamet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.04801},
year = {2019}
}
备注
18 pages and 5 figures