在 Si(100) 上分子束外延生长 (Zn,Mn)Se
材料科学
2016-08-16 v1
摘要
我们研究了在 As 钝化的 Si(100) 衬底上通过分子束外延生长 II-VI 族稀磁半导体 (Zn,Mn)Se。通过采用低温外延优化了生长起始过程。利用 Nomarski 显微镜和扫描电子显微镜评估了表面性质。通过光致发光研究了 (Zn,Mn)Se 的光学性质，并观察到了高达 30 meV 的巨塞曼分裂。我们的观察结果表明外延薄膜具有高晶体质量。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0410540,
title = {Molecular-beam epitaxy of (Zn,Mn)Se on Si(100)},
author = {T. Slobodskyy and C. Rüster and R. Fiederling and D. Keller and C. Gould and W. Ossau and G. Schmidt and L. W. Molenkamp},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0410540},
year = {2016}
}
备注
To be published in Applied Physics Letters