基于分子束外延生长于六方氮化硼的单层 MoSe$_2$ 的增强光学性能
材料科学
2024-07-19 v1
摘要
过渡金属硫化物（TMD）如 MoSe 表现出如此等离子体性质，例如单层形式下的强烈光致发光（PL）。迄今为止，仅实现包覆在六方氮化硼（hBN）中的微米级 exfoliated TMD 薄片的窄线宽 PL。本文发展了一种生长策略，通过在 van der Waals 体系中利用分子束外延在 hBN 薄片上制备单层 MoSe。这标志着开发大面积单晶 TMD 封装在 hBN 中用于电子或光电器件集成的第一步。为此，我们定义了两步生长策略，以实现 hBN 薄片上的单层厚度 MoSe 颗粒。高质量的 MoSe 允许我们检测到在 13 K 时 PL 线宽下至 5.5 meV，与封装的 exfoliated MoSe 薄片相当。此外，亦可在室温检测到可观的 PL，以及清晰的 A、B 和带电激子反射特征。
关键词
引用
@article{arxiv.2407.12944,
title = {Enhanced optical properties of MoSe$_2$ grown by molecular beam epitaxy on hexagonal boron nitride},
author = {C. Vergnaud and V. Tiwari and L. Ren and T. Taniguchi and K. Watanabe and H. Okuno and I. Gomes de Moraes and A. Marty and C. Robert and X. Marie and M. Jamet},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.12944},
year = {2024}
}
备注
6 pages, 6 figures