具有锐利激子谱线和多样晶粒结构的 MBE 生长 MoSe$_2$ 单层的光致发光效率
介观与纳米尺度物理
2025-12-19 v2
摘要
最近的研究表明，使用 h-BN 作为过渡金属二硫属化物的生长基底可以显著减小激子线宽。然而，许多其他光学参数仍需优化。在这项工作中，我们对 h-BN 基底上 MBE 生长的 MoSe 单层的低温光致发光效率进行了详细研究，并将它们与封装在 h-BN 中的最先进的剥离单层进行了比较。我们证明，样品之间的定量比较需要考虑干涉效应以及发射的 Purcell 增强或抑制。通过在光致发光和 Raman 信号中考虑这些效应，我们表明整体内禀发光效率与样品覆盖率成正比。因此，我们发现，在 MBE 生长样品的光谱学中，激子扩散和边缘效应可以忽略不计，即使对于纳米级晶体也是如此。
引用
@article{arxiv.2502.17314,
title = {Photoluminescence efficiency of MBE-grown MoSe$_2$ monolayers featuring sharp excitonic lines and diverse grain structures},
author = {Mateusz Raczyński and Julia Kucharek and Kacper Oreszczuk and Aleksander Rodek and Tomasz Kazimierczuk and Rafał Bożek and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Wojciech Pacuski and Piotr Kossacki},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.17314},
year = {2025}
}
备注
9 pages, 9 figures