原子级薄单层中的激子谱：hBN封装的作用

用于光学和电学研究的含半导体过渡金属硫族化物（S-TMDs）单层（MLs）的高质量结构，是通过将其封装于六方氮化硼（hBN）薄片中实现的。为考察这些体系中hBN厚度的影响，我们考虑一个模型：将S-TMD单层置于沿面外方向半无限的衬底与复杂的顶部覆盖层之间，该覆盖层包含：紧邻单层、厚度有限的层，以及沿面外方向半无限的顶部部分。我们得到了该结构的库仑势表达式。利用此结果，我们证明对于含WSe₂单层的体系，在不同衬底（如hBN和SiO₂）情况下，当顶部hBN厚度小于30层时，激子s态的能量发生显著变化。对于更厚的顶部hBN薄片，激子的结合能饱和至其体相hBN极限的值。