原子级薄半导体中激子-极化激元扩散系数的微观建模
材料科学
2022-09-08 v2
摘要
在强光-物质耦合机制下，例如通过将半导体集成到光学微腔中，会形成作为新型光-物质混合准粒子的极化激元。色散关系的相应变化对半导体的光学、动力学和输运行为产生巨大影响。本工作研究了hBN封装的MoSe单层中的强耦合机制，重点关注激子-极化激元扩散。我们应用基于激子密度矩阵形式与Hopfield方法相结合的微观方法，预测在强耦合机制下扩散系数将急剧增加两到三个数量级。我们将这种行为解释为，与裸激子情况相比，极化激元群速度大得多，且极化激元-声子散射通道受到抑制。我们的研究有助于从微观层面更好地理解原子级薄半导体中的极化激元扩散。
引用
@article{arxiv.2203.00310,
title = {Microscopic modelling of exciton-polariton diffusion coefficients in atomically thin semiconductors},
author = {Beatriz Ferreira and Roberto Rosati and Ermin Malic},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.00310},
year = {2022}
}
备注
10 pages, 4 figures