圆柱微腔中二维半导体层的激子-极化激元
介观与纳米尺度物理
2020-04-22 v2
摘要
我们描述了嵌入圆柱微腔中的过渡金属硫族化物二维层内的激子与微腔光子相互作用所形成的激子-极化激元模式。为此，推导了置于垂直于微腔轴线的对称平面内的半导体圆盘的激子极化率表达式。半经典理论给出了极化激元模式的色散关系，而对简化模型的量子力学处理得到了 Hopfield 系数，该系数度量了耦合模式中激子-光子混合的程度。以嵌入 Si3N4 圆柱中的单层 MoS2 为例，计算了态密度（DOS）及其在光子与激子子空间上的投影。计算结果表明，由于二维层的存在，在某些频率下总态密度与局域态密度（Purcell 效应）得到了显著增强。
引用
@article{arxiv.1911.07312,
title = {Exciton-polaritons of a 2D semiconductor layer in a cylindrical microcavity},
author = {José Nuno S. Gomes and Carlos Trallero-Giner and Nuno M. R. Peres and Mikhail I. Vasilevskiy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.07312},
year = {2020}
}