平面半导体微腔中杂性极化子的半经典理论
介观与纳米尺度物理
2019-08-17 v1
摘要
我们提出了对嵌入平面半导体微腔中的量子井杂性极化子进行的完整的理论描述。详细处理了量子井杂性的非局部介电响应。考虑了量子井中 4 旋子结构，包括显著的能带混合效应。该方案是自包含的，可以用于处理微腔属性的不同半经典方面。作为一个例子，我们分析了不同杂性与腔模耦合的“选择”规则。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9911362,
title = {Semiclassical theory of excitonic polaritons in a planar semiconductor microcavity},
author = {Gu Xu and Dingzhou Li and Bingshen Wang and Zhao-bin Su},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9911362},
year = {2019}
}
备注
30 pages,Latex, 2 figures, to be appreared in Interbational Journal of Modern Physics B