半导体中激子-极化激元的空间约束工程
材料科学
2009-05-14 v2 介观与纳米尺度物理
其他凝聚态物理
摘要
我们展示了在固态系统中，在可设计具有任意维度和形状的新型人工结构内，对电子激发的空间约束。所研究的激发是平面半导体微腔中的激子-极化激元。它们通过对其光子分量的横向捕获而被限制在微米大小的区域内。在角度分辨的光发射光谱中发现了下和上极化激元约束态的显著特征，其中存在离散的能谱和宽的角度图案。一个理论模型明确地支持了我们的观察。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0602640,
title = {Engineering the spatial confinement of exciton-polaritons in semiconductors},
author = {Reda Idrissi Kaitouni and Ounsi El Daif and Maxime Richard and Pierre Lugan and Augustin Baas and Thierry Guillet and François Morier-Genoud and Jean-Daniel Ganière and Jean-Louis Staehli and Vincenzo Savona and Benoît Deveaud},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0602640},
year = {2009}
}