识别Au(111)上单畴单层MoS2生长的机制
材料科学
2021-05-10 v1 其他凝聚态物理
摘要
通过原位低能电子显微镜研究了单层二硫化钼单畴岛的成核和生长。我们研究了三种不同高温下微米级薄片的生长以及金表面的相关平坦化过程。此外，揭示了表面台阶边缘对二硫化钼生长过程的影响。我们表明，岛和下面的平台同时生长，通过推动表面台阶在扩展过程中前进。我们的发现指向一种优化的生长程序，允许获得无台阶的单畴单层岛，尺寸达几微米，这很可能可转移到其他过渡金属二硫族化物。
引用
@article{arxiv.2105.03294,
title = {Identifying the mechanism of single-domain single-layer MoS2 growth on Au(111)},
author = {Moritz Ewert and Lars Buß and Jeppe V. Lauritsen and Jens Falta and Jan Ingo Flege},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.03294},
year = {2021}
}