电应力诱导的TiSe2单层空位岛生长
介观与纳米尺度物理
2018-04-04 v2 应用物理
摘要
为了确保原子级薄过渡金属二硫属化物的实际应用，表征其在电场和电流等外部刺激下的结构稳定性至关重要。以TiSe2表面上的单层空位岛为模型系统，我们首次观察到由扫描隧道显微镜(STM)电应力驱动的从三角形到六边形的形状演化与生长。当STM扫描参数固定在 Vs = 1.0 V 和 I = 1.8 nA 时，岛的尺寸表现出以 (3.00 +- 0.05) x 10-3 nm/s 速率的线性生长。我们进一步量化了生长速率与隧穿电流幅值的关系。我们使用相场建模对单层岛演化进行的模拟与实验观测高度一致，并表明在STM扫描下边缘原子的优先解离驱动了所观测到的生长。这些结果对于超薄过渡金属二硫属化物及相关二维材料在器件运行条件下承受电应力时的器件应用可能具有重要意义。
引用
@article{arxiv.1706.05096,
title = {Electrical Stressing Induced Monolayer Vacancy Island Growth on TiSe2},
author = {Husong Zheng and Salvador Valtierra and Nana Ofori-Opoku and Chuanhui Chen and Lifei Sun and Liying Jiao and Kirk H. Bevan and Chenggang Tao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.05096},
year = {2018}
}
备注
24 pages, 5 figures