扫描隧道显微镜中单层WSe2的光学能带工程
材料科学
2024-11-05 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
强电磁场可导致固体电子性质的剧烈变化。这些变化通常通过改性电子结构的光学探针来研究。这里我们使用配备近场连续波（CW）激光激发的光学扫描隧道显微镜（optical-STM），直接测量单层过渡金属二硫属化物（TMD）半导体WSe2中光修饰态的电子结构。我们发现，当施加的场与半导体的带隙共振时，有效隧道能隙和隧道态密度受电磁场强度的强烈影响。我们的发现表明，当CW激光激发被强烈限制在纳米尺度时，可用于产生量子材料的光修饰电子态。
引用
@article{arxiv.2411.01010,
title = {Optical Band Engineering of Monolayer WSe2 in a Scanning Tunneling Microscope},
author = {Xuehao Wu and Thomas P. Darlington and Madisen A. Holbrook and Emanuil S. Yanev and Luke N. Holtzman and Xiaodong Xu and James C. Hone and D. N. Basov and P. James Schuck and Abhay N. Pasupathy},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.01010},
year = {2024}
}