利用 4D-STEM 绘制畴界：迈向外延生长过渡金属硫族化物单层的受控性质
材料科学
2023-06-12 v1
摘要
外延生长已成为获得高结晶性连续二维层的有前景途径。然而，由于不完全对齐畴之间合并所引起的缺陷，具有预期电学性质的高质量层制备仍具挑战。为在器件尺度上控制其本征性质，合成材料应被描述为合并畴的拼缀体。在此，我们报道利用扫描透射电子显微镜（STEM）技术对高度取向外延 WS 与 WSe 单层的多尺度与多结构分析。首先基于像差校正 STEM 成像的详细原子结构分析，识别并分类了特征畴界。利用四维 STEM 在微米尺度绘制取向、极性方向与相，得以获取特定畴界的密度与分布。我们的结果验证了一种易于应用的流程，用于研究高度取向外延过渡金属硫族化物，提供了从大尺度到原子尺度具多重结构信息的合成材料概览。
引用
@article{arxiv.2306.05505,
title = {Mapping domain junctions using 4D-STEM: toward controlled properties of epitaxially grown transition metal dichalcogenide monolayers},
author = {Djordje Dosenovic and Samuel Dechamps and Celine Vergnaud and Sergej Pasko and Simonas Krotkus and Michael Heuken and Luigi Genovese and Jean-Luc Rouviere and Martien den Hertog and Lucie Le Van-Jodin and Matthieu Jamet and Alain Marty and Hanako Okuno},
journal= {arXiv preprint arXiv:2306.05505},
year = {2023}
}
备注
22 pages, 6 figures and Supplementary Information