不同形状双量子阱中的电子能谱
材料科学
2022-04-13 v1
摘要
我们提出了一种计算构成双量子阱(QW)的有序与无序半导体结构(超晶格)中电子能谱的方法。在我们的方法中,借助相应扩散方程的解来表示量子阱势的薛定谔方程解。这是因为扩散是导致量子阱结构非晶化(无序化)从而产生所谓界面混合的主要机制。我们表明,此类结构中的电子能谱取决于量子阱的形状,而形状又对应于有序或无序结构。具体而言,在无序物质中,量子阱通常具有平滑边缘,而在有序物质中具有突变的矩形形状。本文结果适用于如 GaAs/AlGaAs、GaN/AlGaN、HgCdTe/CdTe、ZnSe/ZnMnSe、Si/SiGe 等异质结构,这些结构可用于高端电子、柔性电子、自旋电子学、光电子学和能量收集应用。
引用
@article{arxiv.2203.05295,
title = {Electron spectra in double quantum wells of different shapes},
author = {Piotr Garbaczewski and Vladimir A. Stephanovich and Grzegorz Engel},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.05295},
year = {2022}
}
备注
10 pages, 5 figures