GaBi$_{x}$As$_{1-x}$/GaAs 量子阱电子结构与带间光学跃迁的原子级紧束缚研究
材料科学
2014-03-18 v1 介观与纳米尺度物理
计算物理
摘要
本文给出了 Bi 组分 为 3.125% 和 12.5% 的 GaBiAs/GaAs 单量子阱 (QWs) 的大超胞紧束缚计算结果。我们的结果突出了由合金无序引起的价带态的显著畸变。在 3.125% Bi 下，基态带间跃迁能量估计具有较大的半高宽 (FWHM) ( 33 meV)，这与近期对类似 Bi 组分的光电压测量结果一致。此外，预测合金无序效应随着量子阱宽度的增加而变得更加显著。然而，在设计温度稳定激光器所需的较高 Bi 组分 (12.5%) 下，该效应较弱，在 =12.5% 时计算的 FWHM 为 23.5 meV。
引用
@article{arxiv.1402.0310,
title = {Atomistic tight-binding study of electronic structure and interband optical transitions in GaBi$_{x}$As$_{1-x}$/GaAs quantum wells},
author = {Muhammad Usman and Eoin P. O'Reilly},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.0310},
year = {2014}
}
备注
Accepted for publication in Applied Physics Letters