GaAs量子阱微腔中极强耦合体制的实验验证
量子气体
2017-08-02 v1
摘要
当光与物质之间的耦合变得可与不同激发态之间的能隙相比拟时，它们发生杂化，导致出现丰富而复杂的现象，近年来引起了显著兴趣。尽管具有不同激发数状态之间的混合（即所谓的超强耦合体制）已在各种实现中被观测到，但不同单激发态之间杂化效应（被称为极强耦合体制）一直难以捉摸。在半导体量子阱中，预测此种体制会表现为光子介导的电子-空穴耦合，导致当耦合强度与激子束缚能之比接近1时，两个极化子分支具有不同的激子波函数。在此，我们通过针对具有28个GaAs量子阱的微腔的磁光测量实验验证了该体制的存在，显示上极化子的平均电子-空穴间距相比裸量子阱激子玻尔半径显著增大。这表现为在零失谐附近的抗磁位移超出下极化子位移一个数量级，并且是裸量子阱激子抗磁位移的两倍。下极化子表现出比刚性激子与腔模耦合所预期更小的抗磁位移，这表明其电子-空穴对束缚比裸量子阱中更紧密。
引用
@article{arxiv.1704.04658,
title = {Experimental verification of the very strong coupling regime in a GaAs quantum well microcavity},
author = {Sebastian Brodbeck and Simone De Liberato and Matthias Amthor and Martin Klaas and Martin Kamp and Lukas Worschech and Christian Schneider and Sven Höfling},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.04658},
year = {2017}
}